Unidad de Estado Sólido (SSD) NV1 de 2000GB, M.2 NVMe PCIe, KINGSTON SNVS/2000G
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Unidad de Estado Sólido (SSD) NV1 de 2000GB, M.2 NVMe PCIe, KINGSTON SNVS/2000G

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El SSD NV1 NVMe™ PCIe de Kingston es una mejora de almacenamiento notable que ofrece velocidades de lectura/escritura de hasta 2100/1700 MB/seg, lo que es de 3 a 4 veces más rápido que un SSD basado en SATA y 35 veces más rápido que un disco duro tradicional. El NV1 funciona con menos energía, se calienta menos y tiene un tiempo de carga más rápido. El rendimiento eficiente y el diseño M.2 2280 (22x80 mm) de una sola cara, hacen que el NV1 sea ideal para portátiles y sistemas delgados con espacio limitado.

Especificaciones
Artículo: Unidad de Estado (SSD)
Serie: NV1 NVMe PCIe
Factor de forma: M.2 2280
Interfaz: NVMe™ PCIe Gen 3.0 x 4 carriles
Capacidad: 2 TB
Velocidad secuencial, lectura/escritura: 2100/1700MB/seg (todas las capacidades)
Resistencia: 480TBW
Consumo de energía: 5mW en reposo / 340mW Prom / 1.1W (MÁX) Lectura / 3.3W (MÁX) Escritura
Temperatura de almacenamiento: 40 a 85 °C
Temperaturas de operación: 0 a 70°C
Resistencia a las vibraciones en operación: 2.17G (7-800 Hz)
Resistencia a las vibraciones fuera de operación: 20G (20-1000Hz)
Dimensiones: 22mm x 80mm x 2.1mm
Peso: 7g

El SSD NV1 NVMe™ PCIe de Kingston es una mejora de almacenamiento notable que ofrece velocidades de lectura/escritura de hasta 2100/1700 MB/seg, lo que es de 3 a 4 veces más rápido que un SSD basado en SATA y 35 veces más rápido que un disco duro tradicional. El NV1 funciona con menos energía, se calienta menos y tiene un tiempo de carga más rápido. El rendimiento eficiente y el diseño M.2 2280 (22x80 mm) de una sola cara, hacen que el NV1 sea ideal para portátiles y sistemas delgados con espacio limitado.

Especificaciones
Artículo: Unidad de Estado (SSD)
Serie: NV1 NVMe PCIe
Factor de forma: M.2 2280
Interfaz: NVMe™ PCIe Gen 3.0 x 4 carriles
Capacidad: 2 TB
Velocidad secuencial, lectura/escritura: 2100/1700MB/seg (todas las capacidades)
Resistencia: 480TBW
Consumo de energía: 5mW en reposo / 340mW Prom / 1.1W (MÁX) Lectura / 3.3W (MÁX) Escritura
Temperatura de almacenamiento: 40 a 85 °C
Temperaturas de operación: 0 a 70°C
Resistencia a las vibraciones en operación: 2.17G (7-800 Hz)
Resistencia a las vibraciones fuera de operación: 20G (20-1000Hz)
Dimensiones: 22mm x 80mm x 2.1mm
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